ISL9R8120P2
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Technische Details ISL9R8120P2
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote ISL9R8120P2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| ISL9R8120P2 | ONS/FAI |
8A 1200V STEALTH Діоди та діодні збірки |
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ISL9R8120P2 | onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
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| ISL9R8120P2 |
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Hersteller: ONS/FAI
8A 1200V STEALTH Діоди та діодні збірки
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| ISL9R8120P2 |
|
Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
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Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
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