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ISL9V2040D3ST

ISL9V2040D3ST ON Semiconductor

isl9v2040d3s-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details ISL9V2040D3ST ON Semiconductor

Description: ONSEMI - ISL9V2040D3ST - IGBT, 10 A, 1.45 V, 130 W, 430 V, TO-252AA, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ECoSPARK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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ISL9V2040D3ST ISL9V2040D3ST Hersteller : ON Semiconductor isl9v2040d3s-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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ISL9V2040D3ST ISL9V2040D3ST Hersteller : onsemi ISL9V2040D-F085-D.pdf Description: IGBT 430V 10A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 130 W
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ISL9V2040D3ST ISL9V2040D3ST Hersteller : onsemi / Fairchild 688F545F4358311445F8E1C278FC6CAB27E09F38D5425C06C3A7BD341DF4FD6C.pdf Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 10a 400V IGBT LL avalanche
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ISL9V2040D3ST ISL9V2040D3ST Hersteller : onsemi ISL9V2040D-F085-D.pdf Description: IGBT 430V 10A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 130 W
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5+4.36 EUR
10+2.82 EUR
100+1.94 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.45 EUR
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ISL9V2040D3ST ISL9V2040D3ST Hersteller : ONSEMI ISL9V2040D-F085-D.pdf Description: ONSEMI - ISL9V2040D3ST - IGBT, 10 A, 1.45 V, 130 W, 430 V, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ECoSPARK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1621 Stücke:
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ECoSPARK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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ISL9V2040D3ST Hersteller : ONSEMI ISL9V2040D-F085-D.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 10A; 130W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 10A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
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