ISP13DP06NMSATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.30 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ISP13DP06NMSATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Supplier Device Package: PG-SOT223, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V.
Weitere Produktangebote ISP13DP06NMSATMA1 nach Preis ab 0.40 EUR bis 1.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISP13DP06NMSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS |
auf Bestellung 6428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
ISP13DP06NMSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Supplier Device Package: PG-SOT223 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|