ISP14EP15LMXTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta), 1.29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 75 V
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 28+ | 0.63 EUR |
| 40+ | 0.45 EUR |
| 45+ | 0.40 EUR |
| 100+ | 0.34 EUR |
| 250+ | 0.32 EUR |
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Technische Details ISP14EP15LMXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISP14EP15LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.29 A, 1.1336 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.134ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.134ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote ISP14EP15LMXTSA1 nach Preis ab 0.28 EUR bis 0.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ISP14EP15LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS |
auf Bestellung 3732 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISP14EP15LMXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP14EP15LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.29 A, 1.1336 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.134ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISP14EP15LMXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP14EP15LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.29 A, 1.1336 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.134ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.134ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISP14EP15LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISP14EP15LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta), 1.29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 75 V |
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