ISP14EP15LMXTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details ISP14EP15LMXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISP14EP15LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.29 A, 1.1336 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.134ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.134ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote ISP14EP15LMXTSA1 nach Preis ab 0.74 EUR bis 1.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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ISP14EP15LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta), 1.29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 75 V |
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ISP14EP15LMXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP14EP15LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.29 A, 1.1336 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.134ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.134ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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ISP14EP15LMXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP14EP15LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.29 A, 1.1336 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.134ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.134ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| ISP14EP15LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
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ISP14EP15LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta), 1.29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 75 V |
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