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ISP16DP10LMAXTSA1

ISP16DP10LMAXTSA1 Infineon Technologies

infineon-isp16dp10lma-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A T/R
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Technische Details ISP16DP10LMAXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISP16DP10LMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISP16DP10LMAXTSA1 ISP16DP10LMAXTSA1 Infineon Technologies infineon-isp16dp10lma-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A T/R
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ISP16DP10LMAXTSA1 ISP16DP10LMAXTSA1 INFINEON Infineon-ISP16DP10LMA-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01921eca50fc3bf9 Description: INFINEON - ISP16DP10LMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 687 Stücke:
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140+1.54 EUR
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ISP16DP10LMAXTSA1 ISP16DP10LMAXTSA1 Infineon Technologies Infineon_ISP16DP10LMA_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
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ISP16DP10LMAXTSA1 ISP16DP10LMAXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP16DP10LMA-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01921eca50fc3bf9 Description: ISP16DP10LMAXTSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
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10+2.46 EUR
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ISP16DP10LMAXTSA1 ISP16DP10LMAXTSA1 INFINEON Infineon-ISP16DP10LMA-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01921eca50fc3bf9 Description: INFINEON - ISP16DP10LMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 687 Stücke:
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93+2.51 EUR
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Hersteller: INFINEON
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: ISP16DP10LMAXTSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 562 Stücke:
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50+1.86 EUR
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISP16DP10LMAXTSA1 Infineon-ISP16DP10LMA-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01921eca50fc3bf9
ISP16DP10LMAXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISP16DP10LMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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60+4.2 EUR
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