ISP16DP10LMXTSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 199+ | 0.73 EUR |
| 222+ | 0.63 EUR |
| 223+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.58 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ISP16DP10LMXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISP16DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.1328 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1328ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1328ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote ISP16DP10LMXTSA1 nach Preis ab 0.47 EUR bis 1.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISP16DP10LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V |
auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
ISP16DP10LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS |
auf Bestellung 1504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
ISP16DP10LMXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP16DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.1328 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1328ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 842 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
ISP16DP10LMXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP16DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.1328 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1328ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1328ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 842 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| ISP16DP10LMXTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET Type of transistor: P-MOSFET |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
|
ISP16DP10LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
ISP16DP10LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
ISP16DP10LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
ISP16DP10LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |