Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > ISP20EP10LMXTSA1
ISP20EP10LMXTSA1

ISP20EP10LMXTSA1 Infineon Technologies

Infineon-ISP20EP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2dc2f104a50
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.24 EUR
2000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ISP20EP10LMXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISP20EP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 990 mA, 1.7754 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 990mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.775ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.775ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote ISP20EP10LMXTSA1 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISP20EP10LMXTSA1 ISP20EP10LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP20EP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2dc2f104a50 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 50 V
auf Bestellung 2087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
58+0.37 EUR
65+0.32 EUR
100+0.29 EUR
250+0.26 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISP20EP10LMXTSA1 ISP20EP10LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon_ISP20EP10LM_DataSheet_v02_00_EN-2942435.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.35 EUR
100+0.27 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.24 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISP20EP10LMXTSA1 ISP20EP10LMXTSA1 INFINEON 3624262.pdf Description: INFINEON - ISP20EP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 990 mA, 1.7754 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 990mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.775ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+0.71 EUR
575+0.4 EUR
730+0.3 EUR
764+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISP20EP10LMXTSA1 ISP20EP10LMXTSA1 INFINEON 3624262.pdf Description: INFINEON - ISP20EP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 990 mA, 1.7754 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 990mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.775ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.775ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+0.71 EUR
575+0.4 EUR
730+0.3 EUR
764+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISP20EP10LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP20EP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2dc2f104a50 ISP20EP10LMXTSA1
auf Bestellung 1965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.05 EUR
187+0.9 EUR
249+0.65 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISP20EP10LMXTSA1 Infineon-ISP20EP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2dc2f104a50
ISP20EP10LMXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 50 V
auf Bestellung 2087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+0.52 EUR
58+0.37 EUR
65+0.32 EUR
100+0.29 EUR
250+0.26 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISP20EP10LMXTSA1 Infineon_ISP20EP10LM_DataSheet_v02_00_EN-2942435.pdf
ISP20EP10LMXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.57 EUR
10+0.35 EUR
100+0.27 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
2000+0.24 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISP20EP10LMXTSA1 3624262.pdf
ISP20EP10LMXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISP20EP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 990 mA, 1.7754 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 990mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.775ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
350+0.71 EUR
575+0.4 EUR
730+0.3 EUR
764+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISP20EP10LMXTSA1 3624262.pdf
ISP20EP10LMXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISP20EP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 990 mA, 1.7754 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 990mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.775ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.775ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
350+0.71 EUR
575+0.4 EUR
730+0.3 EUR
764+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISP20EP10LMXTSA1 Infineon-ISP20EP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2dc2f104a50
Hersteller: Infineon Technologies
ISP20EP10LMXTSA1
auf Bestellung 1965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
169+1.05 EUR
187+0.9 EUR
249+0.65 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH