ISP26DP06NMSATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.17 EUR |
| 10+ | 0.75 EUR |
| 100+ | 0.5 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 3000+ | 0.3 EUR |
| 6000+ | 0.25 EUR |
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Technische Details ISP26DP06NMSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote ISP26DP06NMSATMA1 nach Preis ab 0.46 EUR bis 1.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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ISP26DP06NMSATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 60V SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Supplier Device Package: PG-SOT223 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISP26DP06NMSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISP26DP06NMSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISP26DP06NMSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 1.27 EUR |
| 27+ | 0.79 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| ISP26DP06NMSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 184+ | 1.36 EUR |
| 212+ | 1.09 EUR |
| 285+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1500+ | 0.46 EUR |
| ISP26DP06NMSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 184+ | 1.36 EUR |
| 212+ | 1.09 EUR |
| 285+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1500+ | 0.46 EUR |