ISP26DP06NMSATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 0.90 EUR |
| 10+ | 0.61 EUR |
| 100+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 3000+ | 0.27 EUR |
| 9000+ | 0.21 EUR |
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Technische Details ISP26DP06NMSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote ISP26DP06NMSATMA1 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.20 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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ISP26DP06NMSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 60V SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Supplier Device Package: PG-SOT223 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
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ISP26DP06NMSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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ISP26DP06NMSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISP26DP06NMSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Supplier Device Package: PG-SOT223 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
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