ISP670P06NMAXTSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 2.69 EUR |
| 10+ | 2.04 EUR |
| 100+ | 1.58 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| 1000+ | 1.09 EUR |
| 2000+ | 1.03 EUR |
| 5000+ | 0.99 EUR |
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Technische Details ISP670P06NMAXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISP670P06NMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.4 A, 0.067 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote ISP670P06NMAXTSA1 nach Preis ab 1.11 EUR bis 3.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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ISP670P06NMAXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: ISP670P06NMAXTSA1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 6.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
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ISP670P06NMAXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP670P06NMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.4 A, 0.067 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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ISP670P06NMAXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP670P06NMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.4 A, 0.067 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISP670P06NMAXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: ISP670P06NMAXTSA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 6.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
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