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ISP670P06NMAXTSA1

ISP670P06NMAXTSA1 INFINEON

4426415.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISP670P06NMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.4 A, 0.067 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 996 Stücke:
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Technische Details ISP670P06NMAXTSA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISP670P06NMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.4 A, 0.067 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISP670P06NMAXTSA1 ISP670P06NMAXTSA1 INFINEON 4426415.pdf Description: INFINEON - ISP670P06NMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.4 A, 0.067 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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ISP670P06NMAXTSA1 ISP670P06NMAXTSA1 Infineon Technologies Infineon_ISP670P06NMA_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
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10+2.51 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.18 EUR
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ISP670P06NMAXTSA1 ISP670P06NMAXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP670P06NMA-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01921ed361683c30 Description: ISP670P06NMAXTSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 540 Stücke:
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5+4.3 EUR
10+2.76 EUR
100+1.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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ISP670P06NMAXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISP670P06NMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.4 A, 0.067 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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5+4.3 EUR
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