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ISP75DP06LMXTSA1

ISP75DP06LMXTSA1 Infineon Technologies

Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 30 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details ISP75DP06LMXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.621ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote ISP75DP06LMXTSA1 nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISP75DP06LMXTSA1 ISP75DP06LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1921 Stücke:
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22+0.99 EUR
30+0.71 EUR
100+0.45 EUR
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ISP75DP06LMXTSA1 ISP75DP06LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon_ISP75DP06LM_DS_v02_00_EN-1578806.pdf MOSFETs Y
auf Bestellung 12524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+1.01 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.42 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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ISP75DP06LMXTSA1 ISP75DP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.45 EUR
272+0.86 EUR
422+0.51 EUR
559+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.621ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.45 EUR
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Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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ISP75DP06LMXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.621ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
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