ISP98DP10LMXTSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 0.58 EUR |
| 10+ | 0.34 EUR |
| 100+ | 0.28 EUR |
| 500+ | 0.26 EUR |
| 5000+ | 0.23 EUR |
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Technische Details ISP98DP10LMXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ISP98DP10LMXTSA1 nach Preis ab 0.47 EUR bis 0.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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ISP98DP10LMXTSA1 | Infineon Technologies |
 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 165µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 900mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 1.55A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISP98DP10LMXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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ISP98DP10LMXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ISP98DP10LMXTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 165µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 1.55A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 165µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 1.55A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 0.99 EUR |
| 27+ | 0.68 EUR |
| 30+ | 0.6 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 250+ | 0.47 EUR |
| ISP98DP10LMXTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| ISP98DP10LMXTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)