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ISP98DP10LMXTSA1

ISP98DP10LMXTSA1 INFINEON

Infineon-ISP98DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be30a89034a98
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm
auf Bestellung 995 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details ISP98DP10LMXTSA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8021ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm.

Weitere Produktangebote ISP98DP10LMXTSA1 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.36 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISP98DP10LMXTSA1 ISP98DP10LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP98DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be30a89034a98 Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8021ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ISP98DP10LMXTSA1 ISP98DP10LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP98DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be30a89034a98 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 1.55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 165µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 50 V
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
27+0.81 EUR
30+0.71 EUR
100+0.61 EUR
250+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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ISP98DP10LMXTSA1 ISP98DP10LMXTSA1 Infineon Technologies infineon_isp98dp10lm_datasheet_en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8021ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 1.55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 165µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 50 V
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