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ISZ028N03LF2SATMA1 Infineon Technologies


Infineon_ISZ028N03LF2S_DataSheet_v01_00_EN-3536066.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
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Technische Details ISZ028N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1 INFINEON ISZ028N03LF2SATMA1.pdf Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4995 Stücke:
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122+1.9 EUR
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500+1.17 EUR
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ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1 INFINEON ISZ028N03LF2SATMA1.pdf Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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