ISZ034N06LM5ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 4.01 EUR |
| 10+ | 2.61 EUR |
| 100+ | 1.79 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
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Technische Details ISZ034N06LM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote ISZ034N06LM5ATMA1 nach Preis ab 1.24 EUR bis 4.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ISZ034N06LM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISZ034N06LM5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7783 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISZ034N06LM5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7783 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISZ034N06LM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005402741 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ISZ034N06LM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V |
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