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ISZ056N03LF2SATMA1

ISZ056N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

ISZ056N03LF2SATMA1.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: ISZ056N03LF2SATMA1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
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Technische Details ISZ056N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISZ056N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5600 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISZ056N03LF2S_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
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ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1 INFINEON ISZ056N03LF2SATMA1.pdf Description: INFINEON - ISZ056N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5600 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
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ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1 INFINEON ISZ056N03LF2SATMA1.pdf Description: INFINEON - ISZ056N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5600 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 72A
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
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Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ056N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5600 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
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Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: INFINEON - ISZ056N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5600 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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