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ISZ0602NLSATMA1

ISZ0602NLSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISZ0602NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd75204d6def
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Technische Details ISZ0602NLSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISZ0602NLSATMA1 ISZ0602NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISZ0602NLS_DataSheet_v02_01_EN-2581274.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 12649 Stücke:
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2+2.48 EUR
10+1.87 EUR
100+1.4 EUR
500+1.14 EUR
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ISZ0602NLSATMA1 ISZ0602NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ0602NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd75204d6def Description: MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
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ISZ0602NLSATMA1 ISZ0602NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISZ0602NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd75204d6def Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.75 EUR
103+2.26 EUR
133+1.62 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.09 EUR
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ISZ0602NLSATMA1 ISZ0602NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISZ0602NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd75204d6def Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1467 Stücke:
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100+3.75 EUR
103+2.26 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 12649 Stücke:
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10+1.87 EUR
100+1.4 EUR
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ISZ0602NLSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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ISZ0602NLSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
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Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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500+1.3 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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ISZ0602NLSATMA1 Infineon-ISZ0602NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd75204d6def
ISZ0602NLSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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usEccn: EAR99
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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