ISZ0702NLSATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details ISZ0702NLSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ISZ0702NLSATMA1 nach Preis ab 0.65 EUR bis 3.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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ISZ0702NLSATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISZ0702NLSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISZ0702NLSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 9650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISZ0702NLSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
auf Bestellung 3845 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| ISZ0702NLSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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| 5000+ | 0.65 EUR |
| ISZ0702NLSATMA1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.34 EUR |
| 136+ | 1.58 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| ISZ0702NLSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 9650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 70+ | 2.55 EUR |
| 101+ | 1.75 EUR |
| 200+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.26 EUR |
| 1000+ | 1.15 EUR |
| 5000+ | 0.98 EUR |
| ISZ0702NLSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 3845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 3.37 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
| 5000+ | 0.94 EUR |