ISZ0804NLSATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
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Technische Details ISZ0804NLSATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 60W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm.
Weitere Produktangebote ISZ0804NLSATMA1 nach Preis ab 1.07 EUR bis 2.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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ISZ0804NLSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
auf Bestellung 8086 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISZ0804NLSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 60W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm |
auf Bestellung 2694 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISZ0804NLSATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.4 EUR |
| 10+ | 2.07 EUR |
| 100+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.51 EUR |
| 1000+ | 1.17 EUR |
| 5000+ | 1.11 EUR |
| 10000+ | 1.09 EUR |
| ISZ0804NLSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Produktpalette: OptiMOS 5
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS 5
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 85+ | 2.95 EUR |
| 116+ | 2.01 EUR |
| 161+ | 1.33 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |


