Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > ISZ230N10NM6ATMA1
ISZ230N10NM6ATMA1

ISZ230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-ISZ230N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bba7c28d202ac Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ISZ230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.0196 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0196ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote ISZ230N10NM6ATMA1 nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_ISZ230N10NM6_DataSheet_v02_02_EN-3363768.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 17105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.41 EUR
10+1.60 EUR
100+1.15 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.79 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-ISZ230N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bba7c28d202ac Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V
auf Bestellung 9402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.43 EUR
11+1.61 EUR
100+1.14 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 Hersteller : INFINEON 3624265.pdf Description: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.0196 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 Hersteller : INFINEON 3624265.pdf Description: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.0196 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0196ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ230N10NM6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-isz230n10nm6-datasheet-v02_02-en.pdf SP005402666
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH