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Technische Details IXA12IF1200PB IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA12IF1200PB - IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A.
Weitere Produktangebote IXA12IF1200PB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXA12IF1200PB | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA12IF1200PB - IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A |
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IXA12IF1200PB | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 20A 85000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 13740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXA12IF1200PB | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO220-3 Collector current: 13A Case: TO220-3 Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™ Power dissipation: 85W Kind of package: tube Gate charge: 27nC Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 110ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXA12IF1200PB | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT PT 1200V 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 350 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: PT Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 10A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 85 W |
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IXA12IF1200PB | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO220-3 Collector current: 13A Case: TO220-3 Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™ Power dissipation: 85W Kind of package: tube Gate charge: 27nC Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 110ns Turn-off time: 350ns Type of transistor: IGBT |
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