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IXA20PG1200DHGLB IXYS

Hersteller: IXYS
IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg

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Technische Details IXA20PG1200DHGLB IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV, Type of semiconductor module: IGBT, Power dissipation: 130W, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Pulsed collector current: 45A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: SMT, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SMPD-B, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 23A, Topology: IGBT half-bridge.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	IXA20PG1200DHGLB	IXYS	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 130W Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™ Pulsed collector current: 45A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: SMT Semiconductor structure: diode/transistor Case: SMPD-B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 23A Topology: IGBT half-bridge	auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXA20PG1200DHGLB

Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 130W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Pulsed collector current: 45A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: SMT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Topology: IGBT half-bridge

auf Bestellung 22 Stücke:

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