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IXA20PG1200DHGLB

IXA20PG1200DHGLB IXYS

IXA20PG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Electrical mounting: SMT
Type of module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
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Technische Details IXA20PG1200DHGLB IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV, Case: SMPD-B, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 23A, Pulsed collector current: 45A, Power dissipation: 130W, Electrical mounting: SMT, Type of module: IGBT, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB Hersteller : IXYS IXA20PG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Electrical mounting: SMT
Type of module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
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