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IXA20PG1200DHGLB

IXA20PG1200DHGLB IXYS

IXA20PG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+11.97 EUR
10+10.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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Technische Details IXA20PG1200DHGLB IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV, Topology: IGBT half-bridge, Semiconductor structure: diode/transistor, Type of semiconductor module: IGBT, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Electrical mounting: SMT, Case: SMPD-B, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 23A, Pulsed collector current: 45A, Power dissipation: 130W, Max. off-state voltage: 1.2kV, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB Hersteller : IXYS IXA20PG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
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IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB Hersteller : Littelfuse crete_igbts_smpd_packages_ixa20pg1200dhglb_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 32A 130000mW 9-Pin SMPD-X T/R
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