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IXA20PG1200DHGLB IXYS

Hersteller: IXYS
IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg

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Technische Details IXA20PG1200DHGLB IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 23A, Case: SMPD-B, Electrical mounting: SMT, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 45A, Power dissipation: 130W, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	IXA20PG1200DHGLB	IXYS	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 23A Case: SMPD-B Electrical mounting: SMT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Power dissipation: 130W Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™	auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXA20PG1200DHGLB

Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 23A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™

auf Bestellung 22 Stücke:

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