IXA20PG1200DHGLB IXYS
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Electrical mounting: SMT
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 130W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Pulsed collector current: 45A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Topology: IGBT half-bridge
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 14.43 EUR |
| 7+ | 12.66 EUR |
| 10+ | 12.04 EUR |
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Technische Details IXA20PG1200DHGLB IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV, Electrical mounting: SMT, Type of semiconductor module: IGBT, Power dissipation: 130W, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Pulsed collector current: 45A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SMPD-B, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 23A, Topology: IGBT half-bridge.
Weitere Produktangebote IXA20PG1200DHGLB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IXA20PG1200DHGLB | IXYS |
IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXA20PG1200DHGLB |
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Hersteller: IXYS
IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg
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auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)