
IXA30RG1200DHGLB IXYS


Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Electrical mounting: SMT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SMPD-B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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10+ | 7.61 EUR |
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Technische Details IXA30RG1200DHGLB IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, Pulsed collector current: 75A, Power dissipation: 147W, Electrical mounting: SMT, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Topology: boost chopper, Type of semiconductor module: IGBT, Case: SMPD-B, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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IXA30RG1200DHGLB | Hersteller : IXYS |
![]() ![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 75A Power dissipation: 147W Electrical mounting: SMT Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™ Topology: boost chopper Type of semiconductor module: IGBT Case: SMPD-B |
auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXA30RG1200DHGLB | Hersteller : IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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