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IXA30RG1200DHGLB

IXA30RG1200DHGLB IXYS

IXA30RG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Topology: boost chopper
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.08 EUR
10+7.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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Technische Details IXA30RG1200DHGLB IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT, Topology: boost chopper, Semiconductor structure: diode/transistor, Type of semiconductor module: IGBT, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Electrical mounting: SMT, Case: SMPD-B, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, Pulsed collector current: 75A, Power dissipation: 147W, Max. off-state voltage: 1.2kV, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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IXA30RG1200DHGLB IXA30RG1200DHGLB Hersteller : IXYS IXA30RG1200DHGLB.pdf SMPD MOSFET and IGBTs_Product Brief.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Topology: boost chopper
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Max. off-state voltage: 1.2kV
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IXA30RG1200DHGLB IXA30RG1200DHGLB Hersteller : IXYS media-3322771.pdf IGBTs XPT IGBT Phaseleg
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