IXA30RG1200DHGLB IXYS
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Power dissipation: 147W
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Max. off-state voltage: 1.2kV
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Technische Details IXA30RG1200DHGLB IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT, Power dissipation: 147W, Case: SMPD-B, Electrical mounting: SMT, Type of semiconductor module: IGBT, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper, Collector current: 30A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 75A, Max. off-state voltage: 1.2kV.
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