IXA30RG1200DHGLB IXYS
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Max. off-state voltage: 1.2kV
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Technische Details IXA30RG1200DHGLB IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT, Topology: boost chopper, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Electrical mounting: SMT, Case: SMPD-B, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, Pulsed collector current: 75A, Power dissipation: 147W, Max. off-state voltage: 1.2kV.
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Verfügbarkeit |
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