
IXA30RG1200DHGLB IXYS


Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Topology: boost chopper
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SMPD-B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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10+ | 7.56 EUR |
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Technische Details IXA30RG1200DHGLB IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT, Topology: boost chopper, Semiconductor structure: diode/transistor, Type of semiconductor module: IGBT, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Electrical mounting: SMT, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, Pulsed collector current: 75A, Power dissipation: 147W, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: SMPD-B, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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IXA30RG1200DHGLB | Hersteller : IXYS |
![]() ![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT Topology: boost chopper Semiconductor structure: diode/transistor Type of semiconductor module: IGBT Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™ Electrical mounting: SMT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 75A Power dissipation: 147W Max. off-state voltage: 1.2kV Case: SMPD-B |
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IXA30RG1200DHGLB | Hersteller : IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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