IXA30RG1200DHGLB IXYS
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 147W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Pulsed collector current: 75A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: SMT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Topology: boost chopper
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Technische Details IXA30RG1200DHGLB IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT, Type of semiconductor module: IGBT, Power dissipation: 147W, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Pulsed collector current: 75A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: SMT, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SMPD-B, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, Topology: boost chopper.
Weitere Produktangebote IXA30RG1200DHGLB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IXA30RG1200DHGLB | IXYS |
Description: IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 45 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
IXA30RG1200DHGLB | IXYS |
IGBTs XPT IGBT Phaseleg |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXA30RG1200DHGLB |
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Hersteller: IXYS
Description: IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD
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Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IXA30RG1200DHGLB |
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Hersteller: IXYS
IGBTs XPT IGBT Phaseleg
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