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IXA45IF1200HB

IXA45IF1200HB IXYS


media-3319800.pdf Hersteller: IXYS
IGBTs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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Technische Details IXA45IF1200HB IXYS

Description: IGBT 1200V 78A 325W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Switching Energy: 3.8mJ (on), 4.1mJ (off), Test Condition: 600V, 35A, 27Ohm, 15V, Gate Charge: 106 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 78 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 325 W.

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IXA45IF1200HB IXA45IF1200HB Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa45if1200hb_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1200V 78A 325W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Switching Energy: 3.8mJ (on), 4.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 35A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 106 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 325 W
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IXA45IF1200HB IXA45IF1200HB Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD1FCD2218D820&compId=IXA45IF1200HB.pdf?ci_sign=a4799b66b629553e978da5dfb18f353571f2b1fb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 45A; 325W; TO247-3
Collector current: 45A
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 325W
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 45A; 325W; TO247-3
Collector current: 45A
Case: TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 325W
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
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