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IXA70I1200NA

IXA70I1200NA IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2CDC3016C5820&compId=IXA70I1200NA.pdf?ci_sign=1464344c37dfa780e4641b18a4a9fec667ded4ae Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 350W
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: XPT™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details IXA70I1200NA IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 65A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 150A, Power dissipation: 350W, Mechanical mounting: screw, Features of semiconductor devices: high voltage, Technology: XPT™, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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IXA70I1200NA IXA70I1200NA Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2CDC3016C5820&compId=IXA70I1200NA.pdf?ci_sign=1464344c37dfa780e4641b18a4a9fec667ded4ae Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 350W
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: XPT™
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IXA70I1200NA IXA70I1200NA Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa70i1200na_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 350000mW
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IXA70I1200NA IXA70I1200NA Hersteller : IXYS Description: IGBT MOD 1200V 100A 350W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
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