Produkte > IXYS > IXBF20N300

IXBF20N300 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf Hersteller: IXYS
IXBF20N300 THT IGBT transistors
auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+82.08 EUR
2+67.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXBF20N300 IXYS

Description: IGBT 3000V 34A ISOPLUS I4-PAC, Packaging: Tube, Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™, Gate Charge: 105 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 34 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 150 W.

Weitere Produktangebote IXBF20N300

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXBF20N300 IXBF20N300 Hersteller : Littelfuse telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 3000V 27A 110000mW 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N300 IXBF20N300 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 34A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBF20N300 IXBF20N300 Hersteller : IXYS media-3321871.pdf IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH