Produkte > IXYS > IXBH16N170
IXBH16N170

IXBH16N170 IXYS


Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_16N170_Datasheet.PDF Hersteller: IXYS
IGBTs 1700V 25A
auf Bestellung 630 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXBH16N170 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3, Mounting: THT, Power dissipation: 250W, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Technology: BiMOSFET™; FRED, Features of semiconductor devices: high voltage, Type of transistor: IGBT, Case: TO247-3, Kind of package: tube, Turn-on time: 220ns, Gate charge: 72nC, Turn-off time: 940ns, Collector current: 16A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 120A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote IXBH16N170 nach Preis ab 14.39 EUR bis 27.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXBH16N170 IXBH16N170 Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+18.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170 IXBH16N170 Hersteller : IXYS IXBH16N170_IXBT16N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Collector current: 16A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.69 EUR
5+15.84 EUR
10+14.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170 IXBH16N170 Hersteller : IXYS IXBH16N170_IXBT16N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Gate charge: 72nC
Turn-off time: 940ns
Collector current: 16A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.69 EUR
5+15.84 EUR
10+14.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170 IXBH16N170 Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-16n170-datasheet?assetguid=803acd33-1022-4639-8291-dfbc7a628038 Description: IGBT 1700V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+27.12 EUR
30+16.89 EUR
120+14.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170 IXBH16N170 Hersteller : Littelfuse littelfusediscreteigbtsbimosfetixb16n170datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXBH16N170 IXBH16N170 Hersteller : Littelfuse littelfusediscreteigbtsbimosfetixb16n170datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH