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IXBH16N170

IXBH16N170 Ixys Corporation

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Hersteller: Ixys Corporation
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 40A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Technische Details IXBH16N170 Ixys Corporation

Description: IGBT 1700V 40A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A, Supplier Device Package: TO-247AD, Gate Charge: 72 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 250 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXBH16N170 IXBH16N170 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_16N170_Datasheet.PDF IGBTs 1700V 25A
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IXBH16N170 IXBH16N170 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=803ACD33-1022-4639-8291-DFBC7A628038&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-BiMOSFET-IXB-16N170-Datasheet.PDF Description: IGBT 1700V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
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IXBH16N170 IXBH16N170 IXYS IXBH16N170_IXBT16N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 940ns
Features of semiconductor devices: high voltage
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Hersteller: IXYS
Description: IGBT 1700V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.32 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
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IXBH16N170
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 16A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™; FRED
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 940ns
Features of semiconductor devices: high voltage
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