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IXBH16N170A

IXBH16N170A Littelfuse


littelfusediscreteigbtsbimosfetixb16n170adatasheet.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Technische Details IXBH16N170A Littelfuse

Description: IGBT 1700V 16A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 360 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns, Switching Energy: 1.2mJ (off), Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 150 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXBH16N170A IXBH16N170A Hersteller : Littelfuse littelfusediscreteigbtsbimosfetixb16n170adatasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH16N170A IXBH16N170A Hersteller : IXYS Description: IGBT 1700V 16A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
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IXBH16N170A IXBH16N170A Hersteller : Littelfuse elfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_16n170a_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH16N170A IXBH16N170A Hersteller : Littelfuse littelfusediscreteigbtsbimosfetixb16n170adatasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXBH16N170A IXBH16N170A Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD04849F0DFB820&compId=IXBH(T)16N170A.pdf?ci_sign=05b45852ed6e7230aca07a9203cce83faedf4e33 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 370ns
Turn-on time: 43ns
Pulsed collector current: 40A
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXBH16N170A IXBH16N170A Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD04849F0DFB820&compId=IXBH(T)16N170A.pdf?ci_sign=05b45852ed6e7230aca07a9203cce83faedf4e33 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Type of transistor: IGBT
Turn-off time: 370ns
Turn-on time: 43ns
Pulsed collector current: 40A
Kind of package: tube
Collector current: 10A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO247-3
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