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Technische Details IXBH20N300 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXBH20N300 - IGBT, 50 A, 2.7 V, 250 W, 3 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BiMOSFET Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXBH20N300
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXBH20N300 | Hersteller : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXBH20N300 - IGBT, 50 A, 2.7 V, 250 W, 3 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BiMOSFET Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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IXBH20N300 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT 3000V 50A TO-247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247AD Gate Charge: 105 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A Power - Max: 250 W |
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IXBH20N300 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-on time: 64ns Gate charge: 105nC Turn-off time: 0.3µs Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 130A Power dissipation: 250W Collector-emitter voltage: 3kV Technology: BiMOSFET™ |
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