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IXBN42N170A

IXBN42N170A IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2D30CCAF5B820&compId=IXBN42N170A.pdf?ci_sign=30d9a9716fcdb2ce03625600d5208415acafc420 Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Power dissipation: 313W
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
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Technische Details IXBN42N170A IXYS

Description: IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 312 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V.

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IXBN42N170A IXBN42N170A Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2D30CCAF5B820&compId=IXBN42N170A.pdf?ci_sign=30d9a9716fcdb2ce03625600d5208415acafc420 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 21A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 265A
Power dissipation: 313W
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
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IXBN42N170A IXBN42N170A Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V
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IXBN42N170A IXBN42N170A Hersteller : Littelfuse littelfuse-discrete-igbts-bimosfet-ixbn42n170a-datasheet.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V
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IXBN42N170A IXBN42N170A Hersteller : IXYS Description: IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 21A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
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IXBN42N170A IXBN42N170A Hersteller : IXYS media-3321876.pdf IGBTs 42 Amps 1700V 6.0 V Rds
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