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IXBT16N170A

IXBT16N170A IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD04849F0DFB820&compId=IXBH(T)16N170A.pdf?ci_sign=05b45852ed6e7230aca07a9203cce83faedf4e33 Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:

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Anzahl Preis
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Technische Details IXBT16N170A IXYS

Description: IGBT 1700V 16A TO-268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 360 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-268AA, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns, Switching Energy: 1.2mJ (off), Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 150 W.

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IXBT16N170A IXBT16N170A Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD04849F0DFB820&compId=IXBH(T)16N170A.pdf?ci_sign=05b45852ed6e7230aca07a9203cce83faedf4e33 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Gate charge: 65nC
Turn-off time: 370ns
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 43ns
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IXBT16N170A IXBT16N170A Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 150W 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXBT16N170A IXBT16N170A Hersteller : IXYS media-3319507.pdf IGBTs 1700V 16A
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IXBT16N170A IXBT16N170A Hersteller : Littelfuse littelfusediscreteigbtsbimosfetixb16n170adatasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 150W 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXBT16N170A IXBT16N170A Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixb-16n170a-datasheet?assetguid=0e64b56f-f1db-4402-935e-833c7ae1d9a8 Description: IGBT 1700V 16A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
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