
IXBT24N170 IXYS

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-off time: 1285ns
Collector current: 24A
Power dissipation: 250W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Pulsed collector current: 230A
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Turn-on time: 190ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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4+ | 18.15 EUR |
30+ | 17.67 EUR |
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Technische Details IXBT24N170 IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268, Technology: BiMOSFET™, Mounting: SMD, Case: TO268, Kind of package: tube, Turn-off time: 1285ns, Collector current: 24A, Power dissipation: 250W, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Pulsed collector current: 230A, Type of transistor: IGBT, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 0.14µC, Turn-on time: 190ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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IXBT24N170 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268 Technology: BiMOSFET™ Mounting: SMD Case: TO268 Kind of package: tube Turn-off time: 1285ns Collector current: 24A Power dissipation: 250W Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.7kV Pulsed collector current: 230A Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 0.14µC Turn-on time: 190ns |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXBT24N170 | Hersteller : IXYS |
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