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IXBT24N170 IXYS

Name: IXBT24N170
Brand: IXYS
SKU: 453792361-1
Price: 28.36 EUR
Availability: InStock

Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-off time: 1285ns
Turn-on time: 190ns
Pulsed collector current: 230A
Power dissipation: 250W
Collector current: 24A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Technische Details IXBT24N170 IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268, Technology: BiMOSFET™, Mounting: SMD, Case: TO268, Kind of package: tube, Turn-off time: 1285ns, Turn-on time: 190ns, Pulsed collector current: 230A, Power dissipation: 250W, Collector current: 24A, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 0.14µC, Gate-emitter voltage: ±20V, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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IXBT24N170

Hersteller : IXYS

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-off time: 1285ns
Turn-on time: 190ns
Pulsed collector current: 230A
Power dissipation: 250W
Collector current: 24A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.7kV

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