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IXBT6N170

IXBT6N170 IXYS


DS99004CIXBHBT6N170.pdf Hersteller: IXYS
Description: IGBT 1700V 12A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 17 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A
Power - Max: 75 W
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Technische Details IXBT6N170 IXYS

Description: IGBT 1700V 12A TO-268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.08 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: TO-268AA, Gate Charge: 17 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 36 A, Power - Max: 75 W.

Weitere Produktangebote IXBT6N170 nach Preis ab 18.09 EUR bis 25.41 EUR

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IXBT6N170 IXBT6N170 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_6N170_Datasheet.PDF IGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
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IXBT6N170 IXBT6N170 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1B474D794F8BF&compId=IXBH6N170_IXBT6N170.pdf?ci_sign=11ff0739ef8a82a3156ed9b2978a4d7167a1a158 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 6A; 75W; D3PAK
Case: D3PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 17nC
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 700ns
Power dissipation: 75W
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™; FRED
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
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