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Technische Details IXBX25N250 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 25A; 300W; PLUS247™, Type of transistor: IGBT, Technology: BiMOSFET™, Collector-emitter voltage: 2.5kV, Collector current: 25A, Power dissipation: 300W, Case: PLUS247™, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 180A, Mounting: THT, Gate charge: 103nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 694ns, Turn-off time: 650ns, Features of semiconductor devices: high voltage, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXBX25N250 nach Preis ab 70.98 EUR bis 79.41 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXBX25N250 | Hersteller : IXYS | IGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT |
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IXBX25N250 | Hersteller : Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
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IXBX25N250 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 25A; 300W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 2.5kV Collector current: 25A Power dissipation: 300W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Turn-on time: 694ns Turn-off time: 650ns Features of semiconductor devices: high voltage Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXBX25N250 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 25A; 300W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 2.5kV Collector current: 25A Power dissipation: 300W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Turn-on time: 694ns Turn-off time: 650ns Features of semiconductor devices: high voltage |
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