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Technische Details IXBX25N250 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 25A; 300W; PLUS247™, Mounting: THT, Case: PLUS247™, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 103nC, Technology: BiMOSFET™, Collector-emitter voltage: 2.5kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 25A, Pulsed collector current: 180A, Turn-on time: 694ns, Turn-off time: 650ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 300W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXBX25N250 nach Preis ab 60.63 EUR bis 74.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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.jpg "IXBX25N250") |
IXBX25N250 | Hersteller : IXYS |
 Description: IGBT 2500V 55A 300W PLUS247 |
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IXBX25N250 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 2500V 55A 300000mW 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXBX25N250 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 25A; 300W; PLUS247™ Mounting: THT Case: PLUS247™ Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 103nC Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 2.5kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 180A Turn-on time: 694ns Turn-off time: 650ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 300W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXBX25N250 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2.5kV; 25A; 300W; PLUS247™ Mounting: THT Case: PLUS247™ Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 103nC Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 2.5kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 180A Turn-on time: 694ns Turn-off time: 650ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 300W |
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