| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 96.56 EUR |
| 10+ | 80.25 EUR |
| 100+ | 69.09 EUR |
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Technische Details IXDN75N120 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V, Verlustleistung Pd: 660W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXDN75N120 nach Preis ab 36.71 EUR bis 57.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IXDN75N120 | Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B |
auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXDN75N120 | Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B |
auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXDN75N120 | Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXDN75N120 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V Dauer-Kollektorstrom: 150A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V Verlustleistung Pd: 660W euEccn: NLR Verlustleistung: 660W Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXDN75N120 |
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Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 47.36 EUR |
| 10+ | 40.45 EUR |
| 50+ | 38.56 EUR |
| 100+ | 36.71 EUR |
| IXDN75N120 |
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Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 47.36 EUR |
| 10+ | 41.34 EUR |
| 50+ | 40.03 EUR |
| 100+ | 38.77 EUR |
| IXDN75N120 |
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Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 57.83 EUR |
| 5+ | 51.59 EUR |
| IXDN75N120 |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 660W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 660W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)