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Technische Details IXDN75N120 Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V, Verlustleistung Pd: 660W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXDN75N120 nach Preis ab 31.20 EUR bis 71.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXDN75N120 | Hersteller : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B |
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IXDN75N120 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXDN75N120 | Hersteller : IXYS |
IGBTs 75 Amps 1200V |
auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXDN75N120 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 660 W Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5 nF @ 25 V |
auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXDN75N120 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V Dauer-Kollektorstrom: 150A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V Verlustleistung Pd: 660W euEccn: NLR Verlustleistung: 660W Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXDN75N120 Produktcode: 22498
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IXYS |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IXDN75N120 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Module N-CH 1200V |
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IXDN75N120 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B |
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| IXDN75N120 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Module N-CH 1200V |
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IXDN75N120 | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B Power dissipation: 660W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 190A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXDN75N120 | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B Power dissipation: 660W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 190A |
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