Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXFA10N60P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™; Polar™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 10A, Power dissipation: 200W, Case: TO263, On-state resistance: 0.74Ω, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 120ns, Gate charge: 32nC.
Weitere Produktangebote IXFA10N60P nach Preis ab 5.33 EUR bis 11.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFA10N60P | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263 |
auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| IXFA10N60P |
|
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.1 EUR |
| 10+ | 7.43 EUR |
| 50+ | 5.84 EUR |
| 100+ | 5.33 EUR |