| Anzahl | Privatkunde |
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Technische Details IXFA10N60P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 10A, Power dissipation: 200W, Case: TO263, On-state resistance: 0.74Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 32nC, Kind of channel: enhancement, Kind of package: tube, Reverse recovery time: 120ns, Technology: HiPerFET™; Polar™.
Weitere Produktangebote IXFA10N60P nach Preis ab 5.47 EUR bis 11.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IXFA10N60P | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263 |
auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXFA10N60P |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.38 EUR |
| 10+ | 7.6 EUR |
| 50+ | 5.99 EUR |
| 100+ | 5.47 EUR |