Produkte > IXYS > IXFA14N60P
IXFA14N60P

IXFA14N60P IXYS


Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-14N60P-Datasheet.PDF Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 446 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.17 EUR
500+5.07 EUR
1000+4.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXFA14N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote IXFA14N60P

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFA14N60P
Produktcode: 213226
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n60p_datasheet.pdf.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P IXFA14N60P Hersteller : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P IXFA14N60P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P IXFA14N60P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P IXFA14N60P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P IXFA14N60P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDEEAC7F2C1820&compId=IXFA(H%2CP)14N60P.pdf?ci_sign=5aa1a89e4b5aa53af0f76f9a77c0ac0d77456c56 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P IXFA14N60P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_14n60p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P IXFA14N60P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDEEAC7F2C1820&compId=IXFA(H%2CP)14N60P.pdf?ci_sign=5aa1a89e4b5aa53af0f76f9a77c0ac0d77456c56 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH