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IXFA16N50P3

IXFA16N50P3 IXYS

IXF_16N50P3.pdf Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.05 EUR
16+4.55 EUR
18+4.02 EUR
50+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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Technische Details IXFA16N50P3 IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 16A, Power dissipation: 330W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.36Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 29nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 250ns, Technology: HiPerFET™; Polar3™, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFA16N50P3 IXFA16N50P3 Hersteller : IXYS IXF_16N50P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
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IXFA16N50P3 IXFA16N50P3 Hersteller : IXYS DS100456B(IXFA-FP-FH16N50P3).pdf Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA
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IXFA16N50P3 IXFA16N50P3 Hersteller : IXYS media-3322777.pdf MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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