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Technische Details IXFA4N100P-TRL IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 4A; 150W; D2PAK,TO263; 300ns, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: 20V, Case: D2PAK; TO263, On-state resistance: 3.3Ω, Reverse recovery time: 300ns, Power dissipation: 150W, Gate charge: 26nC, Technology: HiPerFET™, Drain current: 4A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1kV.
Weitere Produktangebote IXFA4N100P-TRL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXFA4N100P-TRL | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 4A; 150W; D2PAK,TO263; 300ns Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: 20V Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 3.3Ω Reverse recovery time: 300ns Power dissipation: 150W Gate charge: 26nC Technology: HiPerFET™ Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1kV |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFA4N100P-TRL |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 4A; 150W; D2PAK,TO263; 300ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 3.3Ω
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 150W
Gate charge: 26nC
Technology: HiPerFET™
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 4A; 150W; D2PAK,TO263; 300ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 3.3Ω
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 150W
Gate charge: 26nC
Technology: HiPerFET™
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
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