| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.02 EUR |
| 10+ | 5.81 EUR |
| 100+ | 5.28 EUR |
| 500+ | 4.9 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXFA4N100P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 4A, Power dissipation: 150W, Case: TO263, Mounting: SMD, Gate charge: 26nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Technology: HiPerFET™; Polar™.
Weitere Produktangebote IXFA4N100P nach Preis ab 4.49 EUR bis 11.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFA4N100P | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263 |
auf Bestellung 2789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| IXFA4N100P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.21 EUR |
| 10+ | 7.5 EUR |
| 50+ | 5.89 EUR |
| 100+ | 5.38 EUR |
| 500+ | 4.49 EUR |


