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IXFB110N60P3

IXFB110N60P3 IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFB110N60P3_Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
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Technische Details IXFB110N60P3 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 110A, Power dissipation: 1890W, Case: PLUS264™, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 56mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 254nC, Kind of channel: enhancement, Kind of package: tube, Reverse recovery time: 250ns, Technology: HiPerFET™; Polar3™.

Weitere Produktangebote IXFB110N60P3 nach Preis ab 32.58 EUR bis 56.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFB110N60P3 IXFB110N60P3 IXYS DS100314BIXFB110N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
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IXFB110N60P3
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
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