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Technische Details IXFB110N60P3 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™; Polar3™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 110A, Power dissipation: 1890W, Case: PLUS264™, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 56mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 250ns, Gate charge: 254nC.
Weitere Produktangebote IXFB110N60P3 nach Preis ab 38.56 EUR bis 58.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IXFB110N60P3 | IXYS |
 MOSFETs 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET |
auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXFB110N60P3 |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFETs 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 58.25 EUR |
| 10+ | 38.56 EUR |