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IXFB150N65X2

IXFB150N65X2 IXYS

IXFB150N65X2.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 260ns
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Technische Details IXFB150N65X2 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56kW, Bauform - Transistor: PLUS264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Hersteller : IXYS IXFB150N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 260ns
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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5+ 49.66 EUR
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25+ 38.17 EUR
100+ 34.85 EUR
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfb150n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400 pF @ 25 V
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25+ 46.14 EUR
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Hersteller : IXYS media-3322674.pdf MOSFET MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
auf Bestellung 393 Stücke:
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1+76.36 EUR
10+ 73.76 EUR
25+ 62.56 EUR
50+ 62.06 EUR
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007910624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Hersteller : Littelfuse fets_n-channel_ultra_junction_ixfb150n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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