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IXFB150N65X2

IXFB150N65X2 Littelfuse

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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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Technische Details IXFB150N65X2 Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56kW, Bauform - Transistor: PLUS264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 LITTELFUSE LFSI-S-A0007910624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFB150N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=B8B62745-2F0F-4CD8-9094-0ECAE8E86CBD&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXFB150N65X2-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
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IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Gate charge: 355nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
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Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Gate charge: 355nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
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