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IXFB170N30P

IXFB170N30P IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED466DF8CDA6A18&compId=IXFB170N30P.pdf?ci_sign=d2e1603ab2b4ff6c3b3926b7ca4a5bff751cbdb1 Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 170A; 1250W; PLUS264™
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 170A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 258nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
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Technische Details IXFB170N30P IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFB170N30P IXFB170N30P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED466DF8CDA6A18&compId=IXFB170N30P.pdf?ci_sign=d2e1603ab2b4ff6c3b3926b7ca4a5bff751cbdb1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 170A; 1250W; PLUS264™
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 170A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 258nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
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IXFB170N30P IXFB170N30P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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IXFB170N30P IXFB170N30P Hersteller : IXYS media-3323381.pdf MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
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10+49.93 EUR
25+46.57 EUR
50+45.76 EUR
100+44.97 EUR
250+40.32 EUR
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IXFB170N30P IXFB170N30P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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IXFB170N30P IXFB170N30P Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb170n30p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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IXFB170N30P IXFB170N30P Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb170n30p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
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