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Technische Details IXFB210N30P3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.89kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFB210N30P3 nach Preis ab 49.86 EUR bis 73.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IXFB210N30P3 | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264 |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFB210N30P3 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.89kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXFB210N30P3 |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
Description: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 67.94 EUR |
| IXFB210N30P3 |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Bauform - Transistor: TO-264
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Produktpalette: -
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 4+ | 73.85 EUR |
| 10+ | 63.26 EUR |
| 25+ | 54.14 EUR |
| 100+ | 49.86 EUR |