auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 46.76 EUR |
| 10+ | 37.58 EUR |
| 500+ | 36.84 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXFB210N30P3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.89kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFB210N30P3 nach Preis ab 37.79 EUR bis 50.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFB210N30P3 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V Power Dissipation (Max): 1890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IXFB210N30P3 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.89kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
 |
IXFB210N30P3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
IXFB210N30P3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
IXFB210N30P3 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
IXFB210N30P3 | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 210A; 1890W; 250ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 250ns Gate charge: 268nC On-state resistance: 14.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 210A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 1890W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar3™ Case: PLUS264™ Type of transistor: N-MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |