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Technische Details IXFB210N30P3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.89kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXFB210N30P3 nach Preis ab 37.79 EUR bis 50.14 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXFB210N30P3 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V Power Dissipation (Max): 1890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V |
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IXFB210N30P3 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
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IXFB210N30P3 | Hersteller : Littelfuse |
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IXFB210N30P3 | Hersteller : Littelfuse |
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IXFB210N30P3 | Hersteller : Littelfuse |
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IXFB210N30P3 | Hersteller : IXYS | IXFB210N30P3 THT N channel transistors |
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