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IXFB60N80P

IXFB60N80P IXYS


media-3319636.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET 60 Amps 800V 0.14 Rds
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Technische Details IXFB60N80P IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS264™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFB60N80P IXFB60N80P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb60n80p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
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IXFB60N80P
Produktcode: 154209
littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb60n80p_datasheet.pdf.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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IXFB60N80P IXFB60N80P Hersteller : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb60n80p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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IXFB60N80P IXFB60N80P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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IXFB60N80P IXFB60N80P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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IXFB60N80P IXFB60N80P Hersteller : IXYS IXFB60N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFB60N80P IXFB60N80P Hersteller : IXYS IXFB60N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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