IXFH10N100P IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 8+ | 9.08 EUR |
| 11+ | 6.64 EUR |
| 120+ | 6.38 EUR |
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Technische Details IXFH10N100P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-247AD, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXFH10N100P nach Preis ab 6.38 EUR bis 13.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IXFH10N100P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 300ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 380W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Technology: HiPerFET™; Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH10N100P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V |
auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH10N100P | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 10 Amps 1000V |
auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH10N100P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Polar HiPerFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH10N100P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH10N100P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |