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IXFH10N100P

IXFH10N100P Littelfuse

screte-mosfets-n-channel-hiperfets-ixfh10n100p-datasheet.pdf
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 300 Stücke:
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Technische Details IXFH10N100P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-247AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFH10N100P IXFH10N100P IXYS IXFH10N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
auf Bestellung 287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.47 EUR
9+10.44 EUR
10+9.41 EUR
30+7.96 EUR
60+7.59 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IXFH10N100P IXFH10N100P Ixys Corporation screte-mosfets-n-channel-hiperfets-ixfh10n100p-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.71 EUR
14+12.77 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IXFH10N100P IXFH10N100P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH10N100P_Datasheet.PDF MOSFETs 10 Amps 1000V
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.46 EUR
10+11.52 EUR
120+10.14 EUR
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IXFH10N100P IXFH10N100P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH10N100P-Datasheet.PDF?assetguid=F56FE1FE-00DB-4E83-8962-198281A7CDD4 Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.84 EUR
30+11.73 EUR
120+9.96 EUR
510+8.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXFH10N100P IXFH10N100P IXYS SEMICONDUCTOR Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH10N100P-Datasheet.PDF?assetguid=F56FE1FE-00DB-4E83-8962-198281A7CDD4 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.54 EUR
12+19.77 EUR
14+15.45 EUR
50+12.66 EUR
100+11.84 EUR
250+11.03 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IXFH10N100P IXFH10N100P.pdf
IXFH10N100P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 300ns
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60+7.59 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IXFH10N100P screte-mosfets-n-channel-hiperfets-ixfh10n100p-datasheet.pdf
IXFH10N100P
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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12+14.71 EUR
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IXFH10N100P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 10 Amps 1000V
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10+11.52 EUR
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IXFH10N100P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH10N100P-Datasheet.PDF?assetguid=F56FE1FE-00DB-4E83-8962-198281A7CDD4
IXFH10N100P
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
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2+19.84 EUR
30+11.73 EUR
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IXFH10N100P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH10N100P-Datasheet.PDF?assetguid=F56FE1FE-00DB-4E83-8962-198281A7CDD4
IXFH10N100P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+24.54 EUR
12+19.77 EUR
14+15.45 EUR
50+12.66 EUR
100+11.84 EUR
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