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IXFH10N80P

IXFH10N80P IXYS

IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.81 EUR
16+4.69 EUR
17+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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Technische Details IXFH10N80P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXFH10N80P IXFH10N80P Hersteller : IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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16+4.69 EUR
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510+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IXFH10N80P IXFH10N80P Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixf-10n80p-datasheet?assetguid=a565a5d2-4577-4a3a-8c98-1b06bc0768c1 Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.29 EUR
30+5.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFH10N80P IXFH10N80P Hersteller : IXYS media-3322078.pdf MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.76 EUR
10+8.06 EUR
30+5.79 EUR
120+5.23 EUR
270+5.19 EUR
510+5.17 EUR
1020+4.95 EUR
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IXFH10N80P IXFH10N80P Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598391-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXFH10N80P IXFH10N80P Hersteller : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_10n80p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH10N80P IXFH10N80P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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