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IXFH110N25T

IXFH110N25T IXYS

IXFH110N25T.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 273 Stücke:
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Technische Details IXFH110N25T IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 110A, Power dissipation: 694W, Case: TO247-3, On-state resistance: 26mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 157nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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IXFH110N25T IXFH110N25T Hersteller : IXYS IXFH110N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
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IXFH110N25T IXFH110N25T Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh110n25t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 110A TO247AD
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IXFH110N25T IXFH110N25T Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_Trench_Gate_-1856402.pdf MOSFET 110 Amps 0V
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