IXFH120N20P IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IXFH120N20P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.
Weitere Produktangebote IXFH120N20P nach Preis ab 10.7 EUR bis 19.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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IXFH120N20P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 120A Power dissipation: 714W Case: TO247-3 On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 100ns |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH120N20P | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 714W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH120N20P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFH120N20P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH120N20P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH120N20P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXFH120N20P | Hersteller : IXYS |
MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds |
Produkt ist nicht verfügbar |