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IXFH120N20P

IXFH120N20P IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_120N20P_Datasheet.PDF Hersteller: IXYS
MOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
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Technische Details IXFH120N20P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 714W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

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IXFH120N20P IXFH120N20P Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-120n20p-datasheet?assetguid=71b0a9b9-292f-4f2e-8710-b0e25a10c9f8 Description: MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
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IXFH120N20P IXFH120N20P Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
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IXFH120N20P Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-120n20p-datasheet?assetguid=71b0a9b9-292f-4f2e-8710-b0e25a10c9f8 IXFH120N20P THT N channel transistors
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IXFH120N20P IXFH120N20P Hersteller : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_120n20p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH120N20P IXFH120N20P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH120N20P IXFH120N20P Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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