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IXFH12N100P

IXFH12N100P Littelfuse

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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Technische Details IXFH12N100P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V, Verlustleistung: 436W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFH12N100P IXFH12N100P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH12N100P IXFH12N100P IXYS DS99920BIXFHFV12N100PS.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
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IXFH12N100P IXFH12N100P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH12N100P_Datasheet.PDF MOSFETs 12 Amps 1000V
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IXFH12N100P IXFH12N100P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 436W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
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IXFH12N100P IXFH12N100P IXYS IXFH12N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.05Ω
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 463W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
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IXFH12N100P
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
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MOSFETs 12 Amps 1000V
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IXFH12N100P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 436W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.05Ω
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 463W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
auf Bestellung 263 Stücke:
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