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IXFH160N15T2

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Produktcode: 126302
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2 IXYS IXFH160N15T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 253nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+10.97 EUR
30+8.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IXFH160N15T2 IXFH160N15T2 Ixys Corporation ete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh160n15t2_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.29 EUR
30+12.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IXFH160N15T2 IXFH160N15T2 IXYS DS100228AIXFH160N15T2.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.49 EUR
30+12.82 EUR
120+10.91 EUR
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IXFH160N15T2 IXFH160N15T2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFH160N15T2_Datasheet.PDF MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.53 EUR
10+15.1 EUR
120+12.79 EUR
510+11.57 EUR
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IXFH160N15T2 IXYS/Littelfuse IXFH160N15T2.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 160 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25, Qg, нКл = 253 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 880 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
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IXFH160N15T2 IXFH160N15T2.pdf
IXFH160N15T2
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 253nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
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IXFH160N15T2 ete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh160n15t2_datasheet.pdf
IXFH160N15T2
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 284 Stücke:
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IXFH160N15T2 DS100228AIXFH160N15T2.pdf
IXFH160N15T2
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
auf Bestellung 195 Stücke:
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30+12.82 EUR
120+10.91 EUR
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IXFH160N15T2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXFH160N15T2_Datasheet.PDF
IXFH160N15T2
Hersteller: IXYS
MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+21.53 EUR
10+15.1 EUR
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510+11.57 EUR
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IXFH160N15T2 IXFH160N15T2.pdf
Hersteller: IXYS/Littelfuse
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 160 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25, Qg, нКл = 253 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 880 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
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