Weitere Produktangebote IXFH160N15T2 nach Preis ab 11.57 EUR bis 21.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFH160N15T2 | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
|
IXFH160N15T2 | IXYS |
MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET |
auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
|
IXFH160N15T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 160A Power dissipation: 880W Case: TO247-3 On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 253nC Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Kind of package: tube |
auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| IXFH160N15T2 | IXYS/Littelfuse |
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 160 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25, Qg, нКл = 253 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 880 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шAnzahl je Verpackung: 30 Stücke |
verfügbar 8 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXFH160N15T2 |
![]() |
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 15.47 EUR |
| 30+ | 12.4 EUR |
| IXFH160N15T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.17 EUR |
| 10+ | 13.47 EUR |
| 120+ | 11.65 EUR |
| 510+ | 11.57 EUR |
| IXFH160N15T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 253nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 253nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IXFH160N15T2 |
![]() |
Hersteller: IXYS/Littelfuse
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 160 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25, Qg, нКл = 253 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 880 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 160 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25, Qg, нКл = 253 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 880 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: ш
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
verfügbar 8 Stücke:




