Produkte > LITTELFUSE INC. > IXFH170N25X3
IXFH170N25X3

IXFH170N25X3 Littelfuse Inc.


littelfuse-discrete-mosfets-ixf-170n25x3-datasheet?assetguid=27111ec5-cb82-481f-918b-bee4de39fe3a
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 170A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
auf Bestellung 187 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+32.24 EUR
30+20.34 EUR
120+18.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXFH170N25X3 Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXFH170N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 170 A, 0.0061 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote IXFH170N25X3 nach Preis ab 25.48 EUR bis 38.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXFH170N25X3 IXFH170N25X3 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_170N25X3_Datasheet.PDF MOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+38.88 EUR
10+31.13 EUR
120+26.91 EUR
510+25.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N25X3 IXFH170N25X3 Hersteller : LITTELFUSE littelfuse-discrete-mosfets-ixf-170n25x3-datasheet?assetguid=27111ec5-cb82-481f-918b-bee4de39fe3a Description: LITTELFUSE - IXFH170N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 170 A, 0.0061 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N25X3 IXFH170N25X3 Hersteller : IXYS IXFH(K,T)170N25X3_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH